NXP恩智浦半导体点对点无线电

针对点对点无线电，NXP恩智浦半导体提供多种多样的器件，具体包括采用最新SiGe:C技术的LO发生器和可变增益放大器，以及硅中功率放大器。

NXP恩智浦半导体主要特性和优势

以硅成本结构实现出色的RF性能

NXP恩智浦半导体说明

中功率放大器

类似GaAs的线性度，参数范围更低，可靠性更高，100% RF测试，基于硅预算。

与GaAs同类产品相比，参数范围降低50%以上

由于前端产量高，批次之间的参数范围低

由于集成带隙源，参数随温度的变化率低

工业RF测试

通过有限的参数范围和灵活的特性降低设计风险。

提高生产期间和终生（工作寿命延长5倍）的设计可靠性（HBM ESD性能提高8倍）。