低VCEsat（BISS）晶体管

NXP恩智浦半导体的低VCEsat晶体管真正达到了“突破性小信号”(BISS)晶体管应有的水平。与同样封装的标准晶体管相比，具有更低的功率损耗和更高的能效，可采用更小型封装以节省PCB空间。

NXP恩智浦半导体提供单、双和高压晶体管或负载开关（在单个封装内结合低VCEsat晶体管和RET）等多种选择。 BISS晶体管具备超低功耗和高集极电流特性（凭借创新的网状发射极技术）。 该系列晶体管凭借这些优势而非常适合注重功耗的应用，其中包括便携式产品、电信和汽车电子系统以及家用电器应用，在这些应用中低发热量通常被视为关键考量因素。