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RF双极性晶体管 - NXP(恩智浦半导体)
NXPRF双极性晶体管

RF双极性晶体管

我们广泛的RF晶体管产品组合的最新版本:QUBiC4 Si和SiGe:C晶体管。

这些新一代器件提供最佳的RF噪声系数与增益性能,电流损耗最低。该性能可实现低功耗下更出色的信号接收,使RF接收器在噪声环境下运行更稳定。

 

我们广泛的RF晶体管产品组合可用于实现几乎所有RF功能。我们按不同的功能和频率(VHF到Ku频段)集群对它们进行了分类,以方便选择。

LNA、混频器、倍频器、缓冲器

高线性度放大器、高输出放大器、驱动器

振荡器

RF功率晶体管

PNP

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PHD78NQ03LT,118
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
封装:DPAK
MPC9653AAC
集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
封装:32-LQFP(7x7)
74HCT365D,653
集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
封装:16-SO
MPF5020CMBA0ES
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
封装:40-HVQFN(6x6)
NX5DV330PW,118
集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关 - 特殊用途
封装:16-TSSOP
MPC8280ZUQLDA
集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
封装:480-TBGA(37.5x37.5)
MC145151DW2R2
集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
封装:28-SOIC
MIMX8ML6CVNKZAB
集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
封装:548-LFBGA(15x15)
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