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A5G21H605W19NR3
- 制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET，封装:OM-780-4S4S
- 技术参数：RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
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A5G21H605W19NR3技术参数详情：
- 型号:A5G21H605W19NR3
- 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
- 封装:OM-780-4S4S
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 技术:GaN
- 配置:-
- 频率:2.11GHz ~ 2.2GHz
- 增益:15.1dB
- 电压 - 测试:48 V
- 额定电流（安培）:-
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:85W
- 电压 - 额定:125 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:OM-780-4S4S
- 供应商器件封装:OM-780-4S4S
- 现在可以订购A5G21H605W19NR3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
