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BLF184GQ
- 制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
- 类别封装：RF FET，SOT-1214A
- 技术参数：IC TRANS LDMOS 650W SOT1214A
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BLF184GQ技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号: BLF184GQ
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 功能总体简述: IC TRANS LDMOS 650W SOT1214A
- 系列: -
- 晶体管类型: LDMOS（双），共源
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
- 频率: 108MHz
- 增益: 23.5dB
- 频率 - 跃迁: -
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
- 电压 - 测试: 50V
- 额定电流: 1.4A
- 功率 - 最大值: -
- 噪声系数: -
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
- 电流 - 测试: 100mA
- 功率 - 输出: 650W
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
- 安装类型: -
- 电压 - 额定: 50V
- 封装/外壳: SOT-1214A
- 供应商器件封装:
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