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BSH111,235
- 制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
- 类别封装：单端场效应管，SOT-23
- 技术参数：MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
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BSH111,235技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：BSH111,235
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
- 系列：TrenchMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：335mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1nC @ 8V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：40pF @ 10V
- 功率 - 最大值：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23 (TO-236AB)
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