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BUK7E4R0-80E,127
- 制造厂商:NXP(恩智浦半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:I2PAK
- 技术参数:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
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BUK7E4R0-80E,127技术参数详情:
- 型号:BUK7E4R0-80E,127
- 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4 毫欧 @ 25A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):169 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):12030 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):349W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
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