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BUK9Y3R0-40E,115
- 制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
- 类别封装：单端场效应管，LFPAK56
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
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BUK9Y3R0-40E,115技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：BUK9Y3R0-40E,115
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
- 系列：TrenchMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35.5nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5962pF @ 25V
- 功率 - 最大值：194W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
- 供应商器件封装：LFPAK56， Power-SO8
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