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MRFE8VP8600HSR5
- 制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，封装：NI-1230-4S
- 技术参数：BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
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MRFE8VP8600HSR5技术参数详情：
- 制造商产品型号：MRFE8VP8600HSR5
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：LDMOS
- 频率：860MHz
- 增益：21dB
- 电压-测试：50V
- 额定电流（安培）：20A
- 噪声系数：-
- 电流-测试：1.4A
- 功率-输出：140W
- 电压-额定：115V
- 封装：NI-1230-4S
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