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PEMD16,115
- 制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
- 类别封装：阵列预偏压式晶体管，SOT-666
- 技术参数：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
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PEMD16,115技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PEMD16,115
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
- 系列：-
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k
- 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：47k
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 500A，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：1A
- 频率 - 跃迁：-
- 功率 - 最大值：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SOT-666
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