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PESD3V3S4UF,115
- 制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
- 类别封装：二极管TVS，6-XSON
- 技术参数：TVS DIODE 3.3VWM 11VC 6XSON
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PESD3V3S4UF,115技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PESD3V3S4UF,115
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：TVS DIODE 3.3VWM 11VC 6XSON
- 系列：自动, AEC-Q101
- 类型：齐纳
- 单向通道：4
- 双向通道：-
- 电压 - 反向关态（典型值）：3.3V（最小值）
- 电压 - 击穿（最小值）：5.32V
- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：11V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：10A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲：110W
- 电源线路保护：无
- 应用：自动
- 不同频率时的电容：110pF @ 1MHz
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TA）
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-XFDFN
- 供应商器件封装：6-XSON，SOT886（1.45x1）
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