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PMDXB950UPE
- 制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
- 类别封装：场效应管阵列，6-DFN
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
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PMDXB950UPE技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PMDXB950UPE
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
- 系列：TrenchFET
- FET 类型：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：500mA
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 500mA， 4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：43pF @ 10V
- 功率 - 最大值：265mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-DFN （1.1x1）
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