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PSMN038-100K,518
- 制造厂商：NXP（恩智浦半导体）
- 类别封装：单端场效应管，8-SO
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V SOT96-1
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PSMN038-100K,518技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PSMN038-100K,518
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 100V SOT96-1
- 系列：TrenchMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：38 毫欧 @ 5.2A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：43nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1740pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO
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