NXP恩智浦半导体电池充电器

时至今日，锂离子电池为不同的便携式设备供电，此类设备使用快速内部充电器，需要高级别的电压/电流控制和温度监控。在此类应用中，设备通常在低电压(< 3 V)下工作，高能源效率是该类应用的主要考量。市场上大部分电池技术使用外部通道元件解决方案，两种主要途径的区别在于：双极结型晶体管(BJT)或一个MOSFET作为通道元件。恩智浦提供一系列具有极低饱和电压(VCEsat)的BJT和具有高电流增益(hFE)能力的BJT。如果PMU能够直接偏置BISS晶体管，则低VCEsat(BISS)晶体管能轻易地取代该应用中的MOSFET。反之，则需要一个额外的小信号MOSFET控制晶体管。两种解决方案都提供了同样的MOSFET性能，并具有成本大幅度下降和泄漏电流极低等优势。

NXP恩智浦半导体主要特性和优势

高效调光：低VCEsat(BISS)晶体管与同功率MOSFET（最新器件在电流为1 A时具有低于50 mV的超低饱和电压）相比具有更低的正向电阻

低启动电压（通常VBE=0.7伏，而MOSFET VGS=1.8至10伏）

反向阻断功能是BISS晶体管的固有功能，不需要额外的阻流二极管

正增益与温度系数

与无ESD保护的MOSFET相比，高ESD电平是一项固有功能

电流驱动的控制环路对供电电压变化不敏感

NXP恩智浦半导体说明

低VCEsat(BISS)晶体管作为通道元件

与电压驱动的MOSFET相比，BJT为电流驱动器件。当设计人员想用BJT取代MOSFET时，必须了解PMU的电流限制。为了确保低VCEsat(BISS)晶体管进入饱和状态，PMU的控制引脚必须能够提供基极电流(IB),否则需要使用一个额外的小信号MOSFET控制晶体管。控制引脚必须为BISS晶体管提供10 mA的电流。BISS晶体管可在饱和或者线性模式下使用。